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然而，全部锗空位在母相中的形成能极低，导致锗碲具有类内禀属性的高空穴载流子密度，制约了其优值的进一步提高。另一种是通过异价掺杂的施主作用，玩意贡献自由电子以减少空穴密度。

百货图1b总结了报道的过渡金属掺杂锗碲基热电材料。【结论】电子品质因子可以定性说明过渡金属元素掺杂对锗碲基热电材料优值的提高，全部从而作为性能描述符指导相关的高通量计算或材料基因工程。图4b基于Wiedemann-Franz计算了样品的电子贡献热导率，玩意因而其具有与电导率类似的随温度变化趋势。

百货图3e和3f基于单/多抛物带模型计算了塞贝克系数和输出因子与载流子密度的关系。图4d基于Debye-Callaway模型计算了室温分谱晶格热导，全部可知不同的晶格缺陷可以散射不同频率的声子，使得全谱声子的群速度减小，从而降低晶格热导。

热电性能测试表明样品具有超过40μWcm-1K-2的高输出因子和低于0.7Wm-1K-1的热导率，玩意从而达到大于2.0的高热电优值和约17%的最大热电转化效率。

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